Компания Samsung Electronics объявила о массовом производстве первых в отрасли чипов оперативной памяти LPDDR4X второго поколения, при изготовлении которых используется технология 10-нанометрового класса.
Так, изделия LPDDR4X-4266 для мобильных устройств, потребляют на 10% меньше энергии по сравнению со своими предшественниками, таким образом продлится и время автономной работы смартфонов.
На основе четырёх чипов LPDDR4X ёмкостью 16 Гбит каждый может быть сформирован модуль объёмом 8 Гбайт. Причём его толщина будет на 20% меньше по сравнению с модулем на основе чипов первого поколения, что позволит сэкономить полезное пространство внутри корпуса мобильных устройств.
Новые изделия LPDDR4X будут доступны в вариантах 4 Гбайт, 6 Гбайт и 8 Гбайт.
Память найдёт применение во флагманских смартфонах и фаблетах следующего поколения. Выход таких устройств ожидается в конце текущего или начале 2019 года. По всей видимости, новые модули LPDDR4X будут задействованы в аппаратах семейства Galaxy S10.
