SK Hynix разработала 8-Гбайт микросхему памяти LPDDR4 для мобильных устройств

1
76

SK Hynix добавила в каталог своей продукции сборку микросхем памяти типа LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт. Новое устройство, наряду с аналогом производства Samsung, открывает производителям смартфонов и планшетов возможность создавать смартфоны и планшеты с 8 Гбайт оперативной памяти.

Производственный комплекс SK Hynix M14

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти LPDDR4 использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 3733 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 29,8 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Модуль памяти поставляется в корпусе типа FBGA-366 размером 15 × 15 мм и может быть использован как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package). Компания SK Hynix принимает заказы на сборку в корпусе FBGA-366 уже сейчас, а начиная с первого квартала 2017 года добавит в семейство продукцию аналогичный модуль в упаковке FBGA-376 с другими напряжениями питания.

Компания SK Hynix использует технологический процесс 21 нм для изготовления 16-Гбит микросхем памяти LPDDR4. Главный конкурент SK Hynix, корпорация Samsung Electronics, применяет для изготовления аналогичных чипов техпроцесс 18 нм, что позволяет компании предлагать своим клиентам на 14 % большую скорость передачи данных (4266 Мтрансферов/с), что ценно для производительных устройств с мощным графическим ядром.

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4-3733 ёмкостью 8 Гбайт

H9HKNNNFBUMUBR-NMH H9HKNNNFBMMUDR-NMH
Ёмкость микросхемы памяти 16 Гбит
Количество микросхем памяти 4
Скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с
Ширина шины 64 разряда
Пропускная способность 29,8 Гбайт/с
Упаковка FBGA-366 15 мм × 15 мм FBGA-376 15 мм × 15 мм
Напряжение питания 1,8/1,1/1,1 Вольт 1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс 21 нм
Время доступности Четвёртый квартал 2016 Четвёртый квартал 2017

Хотя модуль память LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт использует стандартные для данного типа напряжения питания, SK Hynix не указывает количество потребляемой им энергии. Между тем, если только компания не оптимизировала энергопотреблением своих 16-Гбит интегральных схем относительно предшественников, то при неизменном технологическом процессе они потребляют на 25 % больше в сравнении с чипами ёмкостью 12 Гбит. Таким образом, увеличение объёма памяти может сказаться на времени работы устройств.

Память SK Hynix LPDDR3. Иллюстративное фото

Компания SK Hynix пока не делала никаких формальных заявлений касательно начала поставок 8-Гбайт сборок микросхем памяти LPDDR-3733. Обычно производители ОЗУ объявляют о старте продаж лишь после поставки первой коммерческой партии продукта (чего, видимо, пока не произошло). Тем не менее, само по себе добавление модуля LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт в каталог продукции компании означает, что устройство готово к массовому производству. По всей видимости, первые телефоны или планшеты на базе данной сборки появятся на рынке в 2017 году.

Источник: 3Dnews.ru

1 КОММЕНТАРИЙ

  1. Моё мнение, что это простая выкачка денег, т.к. нет нужны в наших смартфонах и планшетах держать настолько мощное железо! Пока они не будут оснащены каким-нибудь 3х мерным изображением или т.п. это всё просто выкачка денег.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Войти с помощью: